FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
®
MOSFET
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值
最大
单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
的s
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Ω
Q2
V
DD
= -15 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= ± 10V ，R
根
= 6
Ω
Q1
V
DS
= 15 V，I
D
= 7 A，V
GS
= 5 V
Q2
V
DS
= -15 V，I
D
= -5 A ，V
GS
= –5 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
8
12
5
16
23
20
3
5
5.5
5.7
1.8
1.8
1.8
2
16
22
10
29
37
32
6
10
7.7
8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复
时间
二极管的反向恢复
收费
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.3 A
Q1
I
F
= 7 A，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
Q2
I
F
= -5 A ，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.8
–0.8
20
17
10
5
1.3
–1.3
1.2
–1.2
A
V
nS
nC
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在一
在0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
2盎司纯铜垫
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS8960C版本C （ W）
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FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
