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FDS8960C 参数 Datasheet PDF下载

FDS8960C图片预览
型号: FDS8960C
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 175 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
®
MOSFET
典型特征: Q1 ( N沟道)
20
2.6
V
GS
= 10V
6.0V
4.5V
3.5V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2.4
2.2
2
V
GS
= 3.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源极电压( V)
2
I
D
,漏电流( A)
16
12
8
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
3.0V
4
0
0
4
8
12
I
D
,漏电流( A)
16
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.065
I
D
= 3.5A
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
0.055
1.8
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 7A
V
GS
= 10V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
,结温( C)
125
150
0.045
T
A
= 125 C
0.035
o
0.025
T
A
= 25 C
0.015
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
,门源电压( V)
9
10
o
图3.导通电阻变化与
温度。
30
V
DS
= 5V
25
I
D
,漏电流( A)
125 C
20
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
,反向漏电流( A)
T
A
= -55 C
o
25 C
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125 C
1
25 C
o
o
o
15
0.1
-55 C
0.01
10
5
0.001
0
1.5
2.5
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS8960C版本C ( W)
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