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    FDS8960C 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8960C图片预览
    型号： FDS8960C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 175 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征： Q2 （P沟道）
    20
    3.4
    V
    GS
    = -10V
    -4.5V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    -6.0V
    3.2
    3
    2.8
    2.6
    2.4
    2.2
    2
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    V
    GS
    = - 3.5V
    12
    -4.0V
    -4.5V
    -5.0V
    -6.0V
    -10V
    8
    -3.5V
    4
    -3.0V
    0
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    0
    5
    10
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    15
    20
    图11.在区域特征。
    图12.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.2
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    1.5
    1.4
    1.3
    1.2
    1.1
    1
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    I
    D
    = -5A
    V
    GS
    = - 10V
    I
    D
    = -2.5A
    0.18
    0.16
    0.14
    0.12
    0.1
    0.08
    0.06
    0.04
    0.02
    2
    4
    6
    8
    10
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    T
    A
    = 125 C
    o
    T
    A
    = 25 C
    o
    图13.导通电阻变化与
    温度。
    20
    V
    DS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    T
    A
    = -55 C
    12
    125 C
    8
    o
    o
    图14.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    GS
    = 0V
    10
    T
    A
    = 125 C
    1
    0.1
    0.01
    0.001
    0.0001
    25 C
    -55 C
    o
    o
    o
    25 C
    o
    4
    0
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    4.5
    5
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图15.传输特性。
    图16.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS8960C版本C （ W）
    www.fairchildsemi.com

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