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FDS8960C 参数 Datasheet PDF下载

FDS8960C图片预览
型号: FDS8960C
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 175 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
®
MOSFET
典型特征: Q1 ( N沟道)
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 7A
8
电容(pF)
800
V
DS
= 10V
15V
700
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
20V
6
600
500
400
300
4
C
OSS
200
100
2
C
RSS
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
30
35
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
,栅极电荷( NC)
0
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
图8.电容特性。
R
DS ( ON)
极限
100
µ
s
40
I
D
,漏电流( A)
10
1ms
10ms
100ms
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
30
1
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 135℃ / W
T
A
= 25 C
o
1s
20
0.1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
FDS8960C版本C ( W)
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