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M14D5121632A-2.5BIG2H 参数 Datasheet PDF下载

M14D5121632A-2.5BIG2H图片预览
型号: M14D5121632A-2.5BIG2H
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-84]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 62 页 / 1001 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M14D5121632A (2H)  
Operation Temperature Condition (TC) -40°C~95°C  
Write with Auto Precharge to Power-Down Entry  
Tx+5  
Tx+2  
Tx+3  
Tx+4  
Tx+6  
T0  
T1  
Tm  
Tm+3  
Tx  
Tx+1  
Tm+1  
Tm+2  
CLK  
CLK  
Command  
WRITE A  
PRE  
CKE  
DQS  
t
WR  
BL = 4  
DQS  
WL  
DinA0  
DinA3  
DQ  
DinA1 DinA2  
Tm+2  
Tx+3  
T0  
Tx  
Tx+1  
PRE  
Tx+2  
Tx+4  
Tm+5  
T1  
Tm  
Tm+3  
Tm+4  
Tm+1  
CLK  
CLK  
Command  
CKE  
WRITE A  
t
WR  
DQS  
DQS  
BL = 8  
WL  
DinA7  
DinA5  
DinA6  
DinA0  
DinA4  
DinA1 DinA2 DinA3  
DQ  
Auto Refresh/ Bank Active/ Precharge to Power-Down Entry  
T11  
T8  
T9  
T10  
T0  
T7  
T1  
T2  
T5  
T6  
T3  
T4  
CLK  
CLK  
Command  
CKE  
CMD  
CKE can go to low one clock after a command  
Note: CMD could be Auto Refresh/ Bank Active/ Precharge command.  
MRS/EMRS to Power-Down Entry  
T0  
T1  
T5  
T6  
T7  
T2  
T3  
T4  
T8  
T9  
T10  
T11  
CLK  
CLK  
MRS/  
EMRS  
Command  
CKE  
t
MRD  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Aug. 2011  
Revision : 1.1 54/62  
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