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    HM5225805BLTT-75 参数 Datasheet PDF下载

    HM5225805BLTT-75图片预览
    型号： HM5225805BLTT-75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： LVTTL 256M SDRAM接口的133 MHz / 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4银行PC / 133 ， PC / 100 SDRAM [256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器PC时钟
    文件页数/大小： 63 页 / 454 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第29页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第30页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第31页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第32页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第34页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第35页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第36页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第37页  
    HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6  
    Write with auto precharge to Read command interval  
    1. Different bank: When some banks are in the active state, the second read command (another bank) is  
    executed. However, in case of a burst write, data will continue to be written until one clock before the read  
    command is executed. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second  
    command.  
    Write with Auto Precharge to Read Command Interval (Different bank)  
    CLK  
    Command  
    BS  
    WRIT A  
    in A0  
    READ  
    DQM,  
    DQMU/DQML  
    Din  
    Dout  
    out B0  
    out B1  
    out B2 out B3  
    CAS Latency = 3  
    Burst Length = 4  
    bank0  
    Write A  
    bank3  
    Read  
    Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by "  
    ".  
    2. Same bank: The consecutive read command from write with auto precharge (the same bank) is illegal. It  
    is necessary to separate the two commands with a bank active command.  
    Data Sheet E0082H10  
    33  

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