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HM5225805BLTT-75 参数 Datasheet PDF下载

HM5225805BLTT-75图片预览
型号: HM5225805BLTT-75
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内容描述: LVTTL 256M SDRAM接口的133 MHz / 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4银行PC / 133 , PC / 100 SDRAM [256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器PC时钟
文件页数/大小: 63 页 / 454 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6  
Write command to Precharge command interval (same bank): When the precharge command is executed  
for the same bank as the write command that preceded it, the minimum interval between the two commands is  
1 clock. However, if the burst write operation is unfinished, the input data must be masked by means of  
DQM, DQMU/DQML for assurance of the clock defined by tDPL  
.
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank)  
Burst Length = 4 (To stop write operation)  
CLK  
PRE/PALL  
Command  
WRIT  
DQM,  
DQMU/DQML  
Din  
t
DPL  
CLK  
PRE/PALL  
WRIT  
Command  
DQM,  
DQMU/DQML  
Din  
in A0  
in A1  
t
DPL  
Burst Length = 4 (To write all data)  
CLK  
PRE/PALL  
Command  
WRIT  
in A0  
DQM,  
DQMU/DQML  
Din  
in A1  
in A2  
in A3  
t
DPL  
Data Sheet E0082H10  
36  
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