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EDS2532EGBH-7BTT-F 参数 Datasheet PDF下载

EDS2532EGBH-7BTT-F图片预览
型号: EDS2532EGBH-7BTT-F
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内容描述: 256M位的SDRAM WTR (宽温度范围) [256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 719 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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PRELIMINARY DATA SHEET  
256M bits SDRAM  
WTR (Wide Temperature Range)  
EDS2532EGBH-TT (8M words × 32 bits)  
Pin Configurations  
Specifications  
Density: 256M bits  
/xxx indicates active low signal.  
Organization  
90-ball FBGA  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2M words × 32 bits × 4 banks  
Package: 90-ball FBGA  
A
B
C
D
E
F
DQ26 DQ24 VSS  
DQ28 VDDQ VSSQ  
VSSQ DQ27 DQ25  
VSSQ DQ29 DQ30  
VDDQ DQ31 NC  
VSS DQM3 A3  
VDD DQ23 DQ21  
VDDQ VSSQ DQ19  
DQ22 DQ20 VDDQ  
DQ17 DQ18 VDDQ  
NC DQ16 VSSQ  
A2 DQM2 VDD  
Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free  
Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V  
Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.)  
2KB page size  
Row address: A0 to A11  
Column address: A0 to A8  
Four internal banks for concurrent operation  
Interface: LVCMOS  
Burst lengths (BL): 1, 2, 4, 8, full page  
Burst type (BT):  
Sequential (1, 2, 4, 8, full page)  
Interleave (1, 2, 4, 8)  
/CAS Latency (CL): 3  
G
H
J
A4  
A7  
A5  
A8  
A6  
NC  
A9  
A10  
NC  
A0  
A1  
BA1 A11  
CLK CKE  
DQM1 NC  
BA0 /CS /RAS  
/CAS /WE DQM0  
VDD DQ7 VSSQ  
DQ6 DQ5 VDDQ  
DQ1 DQ3 VDDQ  
VDDQ VSSQ DQ4  
VDD DQ0 DQ2  
K
L
NC  
Precharge: auto precharge option for each burst  
access  
VDDQ DQ8 VSS  
VSSQ DQ10 DQ9  
VSSQ DQ12 DQ14  
DQ11 VDDQ VSSQ  
DQ13 DQ15 VSS  
Driver strength: normal, 1/2, 1/4, 1/8  
Refresh: auto-refresh, self-refresh  
Refresh cycles: 4096 cycles/64ms  
Average refresh period: 15.6µs  
Operating ambient temperature range  
TA = –20°C to +85°C  
M
N
P
R
(Top view)  
Features  
• ×32 organization  
Single pulsed /RAS  
A0 to A11  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ31  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
DQM0 to DQM3  
CKE  
Address inputs  
Bank select address  
Data-input/output  
Chip select  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
Burst read/write operation and burst read/single write  
operation capability  
Byte control by DQM  
Wide temperature range  
TA = 20°C to +85°C  
DQ mask enable  
Clock enable  
CLK  
Clock input  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
Document No. E1200E40 (Ver. 4.0)  
Date Published December 2008 (K) Japan  
Printed in Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2007-2008