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EBD21RD4ABNA-7A 参数 Datasheet PDF下载

EBD21RD4ABNA-7A图片预览
型号: EBD21RD4ABNA-7A
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内容描述: 注册2GB DDR SDRAM DIMM [2GB Registered DDR SDRAM DIMM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 19 页 / 176 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EBD21RD4ABNA  
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 2.5V 0.2V)  
Parameter  
Symbol  
CI1  
Pins  
max.  
TBD  
TBD  
TBD  
Unit  
pF  
Notes  
1, 3  
Address, /RAS, /CAS, /WE,  
/CS, CKE  
Input capacitance  
Input capacitance  
CI2  
CK, /CK  
pF  
1, 3  
Data and DQS input/output  
capacitance  
CO  
DQ, DQS, CB, DM  
pF  
1, 2, 3  
Notes: 1. These parameters are measured on conditions: f = 100MHz, VOUT = VDDQ/2, VOUT = 0.2V.  
2. Dout circuits are disabled.  
3. This parameter is sampled and not 100% tested.  
AC Characteristics (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 2.5V 0.2V, VSS = 0V)  
(DDR SDRAM device Specification)  
-7A  
-7B  
-10  
Parameter  
Symbol  
tCK  
min.  
max min.  
max  
12  
min.  
max  
12  
Unit  
ns  
Notes  
10  
Clock cycle time  
(CL = 2)  
7.5  
12  
12  
10  
10  
(CL = 2.5)  
tCK  
tCH  
tCL  
7.5  
7.5  
12  
10  
12  
ns  
CK high-level width  
CK low-level width  
0.45  
0.45  
0.55 0.45  
0.55 0.45  
0.55  
0.55  
0.45  
0.45  
0.55  
0.55  
tCK  
tCK  
min  
(tCH, tCL)  
min  
min  
(tCH, tCL)  
CK half period  
tHP  
tAC  
tCK  
ns  
(tCH, tCL)  
DQ output access time from  
CK, /CK  
–0.75  
0.75 –0.75  
0.75 –0.75  
0.75  
–0.8  
0.8  
2, 11  
DQS output access time from CK,  
/CK  
tDQSCK –0.75  
0.75  
0.5  
–0.8  
0.8  
0.6  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
2, 11  
3
DQS to DQ skew  
tDQSQ  
tQH  
0.5  
DQ/DQS output hold time from  
DQS  
tHP – tQHS  
tHP – tQHS  
tHP – tQHS —  
Data hold skew factor  
tQHS  
tHZ  
0.75  
0.75  
0.75  
1.0  
Data-out high-impedance time  
from CK, /CK  
–0.75  
0.75 –0.75  
0.75 –0.75  
–0.8  
0.8  
0.8  
5, 11  
6, 11  
Data-out low-impedance time from  
CK, /CK  
tLZ  
–0.75  
0.75  
–0.8  
ns  
Read preamble  
tRPRE  
tRPST  
tDS  
0.9  
0.4  
0.5  
0.5  
1.75  
0
1.1  
0.6  
0.9  
0.4  
0.5  
0.5  
1.75  
0
1.1  
0.6  
0.9  
0.4  
0.6  
0.6  
2
1.1  
0.6  
tCK  
tCK  
ns  
Read postamble  
DQ and DM input setup time  
DQ and DM input hold time  
DQ and DM input pulse width  
Write preamble setup time  
Write preamble  
8
8
7
tDH  
ns  
tDIPW  
tWPRES  
tWPRE  
tWPST  
ns  
0
ns  
0.25  
0.4  
0.25  
0.4  
0.25  
0.4  
tCK  
tCK  
Write postamble  
0.6  
0.6  
0.6  
9
Write command to first DQS  
latching transition  
tDQSS  
0.75  
0.2  
1.25 0.75  
1.25  
0.75  
0.2  
1.25  
tCK  
tCK  
tCK  
DQS falling edge to CK setup time tDSS  
0.2  
0.2  
DQS falling edge hold time from  
CK  
tDSH  
0.2  
0.2  
DQS input high pulse width  
DQS input low pulse width  
tDQSH  
tDQSL  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
tCK  
tCK  
Preliminary Data Sheet E0273E20 (Ver. 2.0)  
12  
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