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E1750E31 参数 Datasheet PDF下载

E1750E31图片预览
型号: E1750E31
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内容描述: 2G位DDR3L SDRAM [2G bits DDR3L SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 32 页 / 606 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDJ2108EEBG, EDJ2116EEBG  
Table 7: IDD0 Measurement-Loop Pattern  
CK,  
/CK  
Sub  
Cycle  
Com-  
A11  
A7  
A3  
A0  
CKE  
-Loop number mand /CS /RAS /CAS /WE ODT BA*3 -Am A10 -A9 -A6 -A2 Data*2  
0
ACT  
D, D  
/D, /D  
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1, 2  
3, 4  
Repeat pattern 1…4 until nRAS 1, truncate if necessary  
PRE  
Repeat pattern 1...4 until nRC 1, truncate if necessary  
nRAS  
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1 × nRC  
+ 0  
ACT  
D, D  
/D, /D  
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
F
F
F
0
0
0
0
1 × nRC  
+1, 2  
1 × nRC  
+ 3, 4  
Toggling Static H  
Repeat pattern nRC + 1,...,4 until 1 × nRC + nRAS 1, truncate if necessary  
PRE  
Repeat nRC + 1,...,4 until 2 × nRC 1, truncate if necessary  
1 × nRC  
+ nRAS  
0
0
1
0
0
0
0
0
0
F
0
1
2
3
4
5
6
7
2 × nRC Repeat Sub-Loop 0, use BA= 1 instead  
4 × nRC Repeat Sub-Loop 0, use BA= 2 instead  
6 × nRC Repeat Sub-Loop 0, use BA= 3 instead  
8 × nRC Repeat Sub-Loop 0, use BA= 4 instead  
10 × nRC Repeat Sub-Loop 0, use BA= 5 instead  
12 × nRC Repeat Sub-Loop 0, use BA= 6 instead  
14 × nRC Repeat Sub-Loop 0, use BA= 7 instead  
Notes: 1. DM must be driven low all the time. DQS, /DQS are MID-LEVEL.  
2. DQ signals are MID-LEVEL.  
3. BA: BA0 to BA2.  
4. Am: m means Most Significant Bit (MSB) of Row address.  
Data Sheet E1750E31 (Ver. 3.1)  
13  
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