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E1750E31 参数 Datasheet PDF下载

E1750E31图片预览
型号: E1750E31
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内容描述: 2G位DDR3L SDRAM [2G bits DDR3L SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 32 页 / 606 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDJ2108EEBG, EDJ2116EEBG  
Table 11: IDD4R and IDDQ4R Measurement-Loop Pattern  
CK,  
/CK  
Sub  
Cycle  
Com-  
A11  
A7 A3 A0  
CKE  
-Loop number mand /CS /RAS /CAS /WE ODT BA*3 -Am A10 -A9 -A6 -A2 Data*2  
0
RD  
D
0
1
1
0
1
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
F
F
F
0
0
0
0
0
0
00000000  
1
2,3  
/D, /D  
RD  
D
0
4
00110011  
5
6,7  
/D, /D  
Toggling Static H 1  
8 to 15  
Repeat Sub-Loop 0, but BA= 1  
2
3
4
5
6
7
16 to 23 Repeat Sub-Loop 0, but BA= 2  
24 to 31 Repeat Sub-Loop 0, but BA= 3  
32 to 39 Repeat Sub-Loop 0, but BA= 4  
40 to 47 Repeat Sub-Loop 0, but BA= 5  
48 to 55 Repeat Sub-Loop 0, but BA= 6  
56 to 63 Repeat Sub-Loop 0, but BA= 7  
Notes: 1. DM must be driven low all the time. DQS, /DQS are used according to read commands, otherwise MID-LEVEL.  
2. Burst sequence driven on each DQ signal by read command. Outside burst operation, DQ signals are MID-LEVEL.  
3. BA: BA0 to BA2.  
4. Am: m means Most Significant Bit (MSB) of Row address.  
Data Sheet E1750E31 (Ver. 3.1)  
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