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    SMJ44C251B-12HJM 参数 Datasheet PDF下载

    SMJ44C251B-12HJM图片预览
    型号： SMJ44C251B-12HJM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×4 VRAM 256K ×4的DRAM 512K ×4的SAM [256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM]
    分类和应用： 内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 57 页 / 1255 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第21页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第22页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第23页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第24页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第26页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第27页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第28页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第29页  
    VRAM  
    SMJ44C251B  
    MT42C4256  
    Austin Semiconductor, Inc.  
    FIGURE 15: Delayed-Write-Cycle Timing  
    (Output-Enable-Controlled Write)  
    WRITE-CYCLE STATE TABLE  
    STATE  
    CYCLE  
    1
    L
    L
    H
    H
    2
    L
    L
    L
    L
    3
    H
    L
    L
    H
    4
    5
    Write Operation  
    Don't Care Valid Data  
    Write Mask Valid Data  
    Don't Care Valid Data  
    Don't Care Write Mask  
    Write-mask load/use, Write DQs to I/Os  
    Use previous write mask, Write DQs to I/Os  
    Load write mask on later of W\ fall and CAS\ fall  
    Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
    SMJ44C251B/MT42C4256  
    Rev. 0.1 12/03  
    25  

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