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AT45DB011B-SC 参数 Datasheet PDF下载

AT45DB011B-SC图片预览
型号: AT45DB011B-SC
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内容描述: 1兆位2.7伏唯一的数据FLASH [1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH]
分类和应用:
文件页数/大小: 32 页 / 319 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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AT45DB011B
状态寄存器读:
状态寄存器可用于确定设备的
准备/繁忙状态,主存储器页面的结果来缓冲比较操作,或
器件密度。读状态寄存器, 57H或D7H的操作码必须被加载到
装置。之后的操作码的最后一位被移位,则8位的状态寄存器,开始
与MSB (第7位) ,在接下来的8个时钟周期将被移出SO引脚。该
状态寄存器的五个最显著位将包含设备的信息,而剩下
荷兰国际集团三个最显著位保留供未来使用,将有未定义的值。后
位状态寄存器的0已移出,该序列将重演(只要CS
仍然很低, SCK正在切换)再次与第7位,状态寄存器的起始数据
在不断更新,所以每个重复序列将输出新的数据。
状态寄存器的格式
第7位
RDY / BUSY
第6位
COMP
第5位
0
4位
0
第3位
1
第2位
1
第1位
X
位0
X
Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1,则该设备
是不是很忙,准备接受下一个命令。如果第7位是0,则装置处于繁忙
状态。用户可以通过在一个低的水平停止SCK连续轮询位的状态寄存器的第7
一旦第7位被输出。第7位的状态将继续通过SO引脚输出,并
一旦设备不再忙,所以状态会改变,从0到1,有8
操作可导致设备处于繁忙状态:主存储器页到缓冲器
转让,主存储器页到缓冲区比较,缓冲到主存储器页编程与
内置擦除,缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除,页擦除,
块擦除,主存储器页编程和自动页重写。
最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示
在状态寄存器的第6位。如果第6位是0,则在主存储器页面匹配的数据
在缓冲器中的数据。如果第6位是1时,数据在主存储器页面,然后在至少一个位
没有在缓冲器匹配的数据。
器件密度使用比特5 , 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于
AT45DB011B ,四个位是0, 0,1和1。这四个二进制位的十进制值的确
不等同于设备的密度;这三个位代表有关昼夜温差一个组合码
fering的串行数据闪存器件的密度,从而总共16个不同的密度
精读网络gurations 。
计划和
擦除命令
缓冲区写:
数据可以从SI引脚到数据缓冲区被移入。将数据加载到
的缓冲液, 84H的一个8位的操作码后面是15无关位和9位地址位
( BFA8 - BFA0 ) 。的9个地址位中指定要写入在缓冲器中的第一个字节。数据
进入下面的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止,该装置将
绕回的缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器
直到低到高的转变上检测到CS引脚。
缓冲区带内置擦除主存储器页编程:
数据写入
该缓冲器可被编程到主存储器中。 83H的8位操作码之后
六个保留位, 9位地址( PA8 - PA0 )表示在主存储器中指定页
要被写入,而附加不在乎9位。当低到高的转变发生在
CS引脚,该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1 ,然后程序
存储在缓冲器中复制到指定的页面在主存储器中的数据。无论是擦除和
在页面的编程是在内部自定时的,应该发生在一个最大
时间t
EP
。在此期间,状态寄存器将指示该部分正忙。
5
1984H–DFLSH–10/04