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AT45DB011B-SC 参数 Datasheet PDF下载

AT45DB011B-SC图片预览
型号: AT45DB011B-SC
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内容描述: 1兆位2.7伏唯一的数据FLASH [1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH]
分类和应用:
文件页数/大小: 32 页 / 319 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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AT45DB011B
操作模式
摘要
描述的可被分离的模式分为两组 - 模式,这些模式利用闪存
存储器阵列( A组)和模式不使用的闪存阵列
( B组) 。
A组的模式包括:
1.主存储器页读
2.主内存页,以缓冲传输
3.主存储器页到缓冲器比较
4.缓冲区到主存储器页编程带内置擦除
5.缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除
6页擦除
7块擦除
8.主存储器页计划通过缓冲
9.自动页重写
B组的模式包括:
1.缓冲器读
2.缓冲区写
3.状态寄存器读
如果A组模式正在进行中(尚未完全竣工) ,然后在A组的另一模式应
不会被启动。然而,在这段时间内,其中A组的方式进行过程中(除
主存储器页读) ,状态寄存器读取从B组可以启动。此外,
在页擦除和块擦除正在从一组,其他模式操作
从B组可以启动。
引脚说明
串行输入(SI ) :
在SI引脚为输入引脚,用于将数据转移到设备中。
SI引脚用于所有的数据输入,包括操作码和地址序列。
串行输出(SO ) :
SO引脚是输出引脚,用于从所述数据移出
装置。
串行时钟( SCK ) :
在SCK引脚为输入引脚,用于控制流量
数据和从该数据闪存。数据总是移入设备上的上升沿
SCK和同步输出设备在SCK的下降沿。
片选(CS ) :
该数据闪存被选中当CS引脚为低电平。当该装置是
没有选择,数据将不会在SI引脚接受,而SO引脚将保持在高
阻抗状态。在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作,以及
低到高的CS引脚上的转变来结束操作所需。
写保护:
如果WP引脚保持低电平时,第一个256页的主存不了
重新编程。重新编程的第一个256页的唯一途径是首先推动保护
引脚为高电平,然后用程序指令前面提到的。如果此引脚和功能都
不利用建议WP引脚的外部驱动高。
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1984H–DFLSH–10/04