连续阵列读取：
通过对主存储器供给的初始起始地址
阵列，所述阵列的连续读指令可以被用来依次读出的连续
通过简单地提供一个时钟信号从设备的数据流;不需要额外的处理
信息或控制信号需要被提供。该数据闪存集成了一个内部
地址计数器，该计数器将自动增加在每个时钟周期，使一条连续
OU中无需额外的地址序列的需要的读操作。要执行
连续读， 68H或E8H的操作码，必须移入器件其次是24
地址位和32无关位。 24位的地址序列的第一个6位
保留用于向上和向下兼容到更大或更小的密度的设备（见
下笔记“读/命令序列写入操作”图）。下九
地址位（ PA8 - PA0 ）指定要读取的页的主存储器阵列，并在最后
9位（ BA8 - BA0 ）的24位地址的序列的指定范围内的起始字节地址
该页面。 32不小心遵循24地址位来初始化读该位
操作。继32无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致
串行数据在SO （串行输出）引脚为输出。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址位，则不在乎
位，并且数据的读取。当在一个被达到，主存储器中的页的结束
连续阵列读取，所述装置将继续读取下一个页面的开始
没有延迟页边界交叉（从一月底的交叉过程中发生的
翻页到下页的开头） 。当主存储器阵列中的最后一个位已
读出时，所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。如
与跨越页边界，无延迟，将缠绕时，将发生
阵列到阵列的开头的末端。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态SO引脚。
最大SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义
汽车
规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶子的内容
的缓冲区不变。
主存储器页读：
读出的主存储器，用户可以直接从读出的数据
任一项所述的512页中的主存储器的，绕过数据缓冲器和离开CON组
缓冲区不变的帐篷。要启动页读取， 8位操作码， 52H或D2H ，必须
移入器件其次是24位地址位和32无关位。在
AT45DB011B ，第6位的地址是保留给大密度的设备（见注意事项
地址位（ BA8 - BA0 ）指定页面内的起始字节地址。 32不在乎
随后的24个地址位位被发送到初始化读操作。继32
无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据通过SO被输出（串行
输出）引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，
和数据的读出。当在一个主要是达到在主存储器中的页的结束
存储器页读，该设备将继续读取在同一页的开头。一个低
到高的CS引脚转换将终止读操作和三态SO引脚。
缓冲区中读取：
数据可以使用54H或D4H的一个操作码的数据缓冲器中读出。对
执行读出的缓冲器，则8位的操作码的后面必须跟15无关位， 9
地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小是264字节， 9个地址位
（ BFA8- BFA0 ）都需要指定的数据被从缓冲区中读出的第一个字节。在CS
引脚必须的操作码，地址位，不在乎位的加载过程中保持较低水平，而
数据的读出。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读
备份在缓冲器的开头。在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。
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AT45DB011B
1984H–DFLSH–10/04
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
