布局,提高了系统可靠性,最大限度地降低开关噪声,并减少封装尺寸和
活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业应用中的优化
系统蒸发散需要高密度,低引脚数,低电压和低功耗是至关重要的。该装置
在时钟频率高达20 MHz的典型有效的读电流消耗工作
4毫安。
以允许简单的系统重新编程,该AT45DB011B不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源供电, 2.7V至3.6V ,对于工作
两个程序和读取操作。该AT45DB011B通过片选使能
引脚( CS ),并通过一个三线接口,包括串行输入( SI ) ,串行输出的访问
放(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程周期是自定时,之前没有单独的擦除周期是必需的
编程。
当设备从Atmel公司出厂时,存储器阵列的最显著页面可
不被擦除。换句话说,在最后一页中的内容可能不被填充为FFH。
框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 264字节)
缓冲器( 264字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB011B的存储器阵列被划分为三个等级
粒度包括部门,块和页面。内存架构图
示出了每一级的击穿,并详细说明的每个扇区和块的页数。
所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上;然而,可选的
擦除操作可在块或页级别来执行。
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AT45DB011B
1984H–DFLSH–10/04