AT45DB011B
主存储器页编程通过缓存：
该操作是一个组合
缓冲区写入和缓存主存储器页编程带内置擦除操作。
数据首先被移位到从SI引脚的缓冲器中，然后被编程到一个指定的页面
在主存储器中。 82H的一个8位的操作码后面是6保留位和18
地址位。这九个最显著的地址位（ PA8 - PA0 ）在主选择页面
存储器，其中的数据是要被写入，而在下一个9位地址（ BFA8 - BFA0 ）选择
在缓冲器中的第一个字节被写入。毕竟地址位移入后，该部分将采取数据
从SI引脚，并将其存储在数据缓冲区中。如果缓冲区的末尾为止，该装置将
绕回的缓冲区的开始。当存在于一个低到高的过渡
CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1 ，然后程序
存储在缓冲器中复制到指定的页面在主存储器中的数据。无论是擦除和
在页面的编程在内部自定时的，应在一个最大的
时间T
EP
。在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。
另外
COMMANDS
主内存页面缓冲转让：
数据的页面可以从被转移
主内存中缓冲。 53H的一个8位的操作码后面是6保留位，九
地址位（ PA8 - PA0 ），以指定的页面在主存要被传送，并
9无关位。 CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚加载操作码，
地址位，并从SI引脚无关位。数据从页面转移
主内存缓冲区开始时， CS引脚从低电平到高电平状态。
在数据页的传送（叔
XFR
） ，状态寄存器可以读取来确定
是否传输已完成或没有。
主内存页面缓冲比较：
在主内存中的数据的页面，可以的COM
相比于在缓冲器中的数据。 60H的8位操作码后面是24位地址
自由下列组成的6保留位， 9位地址（ PA8 - PA0 ），其在所述指定页
主存储器要被比较的缓冲液中， 9无关位。的负载
操作码和地址位是相同的，如前所述。 CS引脚必须为低
而切换SCK引脚加载操作码，地址位，而不会从不在乎位
SI引脚。 CS引脚的低到高的转变，在264个字节选择的主MEM-
储器页面将在缓冲器中的264个字节进行比较。在这段时间（t
XFR
） ，状态
寄存器将指示该部分正忙。在比较操作完成后，中位6
状态寄存器与所述比较的结果进行更新。
自动换页重写：
这个模式时，才需要，如果一个页面或多个内的多个字节
数据的页被修改以随机方式。该模式2的操作的组合：
主内存页，以缓冲传输和缓存主存储器页编程与内置
擦除。数据的页被首先从主存储器传输到数据缓冲器中，然后将
（从缓冲器）相同的数据被编程回其原始的主存页面。一个8
58H的位操作码后面是6保留位， 9位地址（ PA8 - PA0 ），该光谱
IFY在主内存中的页面重新编写，九附加无关位。当低
到高的转变发生在CS引脚，该部分将首先从主网页的数据传输
存储到缓冲器中，然后程序从缓冲器中的数据返回到主同一页
内存。该操作是在内部自定时的，应在吨的最大时间
EP
.
在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。
如果一个扇区进行编程或重新编程页面顺序页面，则编程
第26页的图1中所示的算法的建议。否则，如果在一个或多个字节
页面或多个页面都在一个扇区随机地编程，则编程算法
图2第27页上显示的建议。一个部门中的每个页面必须是
更新/每10,000累计页擦除/编程操作中重写至少一次
系统蒸发散在的部门。
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1984H–DFLSH–10/04
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