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AP4503GM 参数 Datasheet PDF下载

AP4503GM图片预览
型号: AP4503GM
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 87 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4503GM  
N-Channel  
f=1.0MHz  
10000  
1000  
100  
12  
I D =6A  
DS =24V  
10  
8
V
Ciss  
6
Coss  
Crss  
4
2
0
10  
0
4
8
12  
16  
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)  
QG , Total Gate Charge (nC)  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
100  
1
Dity factor=0.5  
0.2  
10  
100us  
0.1  
0.1  
0.05  
0.02  
1
1ms  
0.01  
PDM  
10ms  
Single Pulse  
t
0.01  
T
0.1  
100ms  
1s  
10s  
Duty factor = t/T  
T A =25 o C  
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta  
o
Rthja=135 C/W  
Single Pulse  
DC  
0.01  
0.001  
0.0001  
0.1  
1
10  
100  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)  
t , Pulse Width (s)  
Fig 9. Maximum Safe Operating Area  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
VDS  
VG  
90%  
QG  
4.5V  
QGS  
QGD  
10%  
VGS  
tr  
t
d(off)tf  
td(on)  
Charge  
Q
Fig 11. Switching Time Waveform  
Fig 12. Gate Charge Waveform  
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