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    TGF2023-10 参数 Datasheet PDF下载

    TGF2023-10图片预览
    型号： TGF2023-10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 50瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC [50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 220 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号TGF2023-10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TGF2023-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TGF2023-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TGF2023-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TGF2023-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TGF2023-10的Datasheet PDF文件第7页  
    TGF2023-10  
    Mechanical Drawing  
    Units: millimeters  
    Thickness: 0.100  
    Die x,y size tolerance: +/- 0.050  
    Chip edge to bond pad dimensions are shown to center of pad  
    Ground is backside of die  
    Bond Pad #1 - 8  
    Bond Pad #9  
    Vg  
    Vd  
    0.154 x 0.115  
    0.154 x 2.050  
    GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should  
    be observed during handling, assembly and test.  
    6
    TriQuint Semiconductor: www. triquint.com (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Info-mmw@tqs.com  
    Dec 2008 © Rev A  

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