TGF2023-10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TGF2023-10
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内容描述：	50瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC [50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 220 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

TGF2023-10

Linear Model for 1.25 mm Unit GaN Cell

Rdg

Cdg

Gate

Drain

v_i

Cgs

R_i

Rds

Cds

Rgs

gm v_i

Rp, Cp

Unit GaN cell

Reference Plane

Source

MODEL

PARAMETER

Vd = 40V

Idq = 19mA

Vd = 32V

Idq = 19mA

UNITS

0.56

0.07

Ω

0.08

0.31

0.33

Ω

Cgs

0.134

1.52

0.138

1.50

Ω

0.24

0.23

Cds

Rds

Cgd

Tau

0.239

373.7

0.053

4.11

0.263

319.2

0.0646

3.57

Ω

0.0148

-0.0135

0.048

1550

0.0147

-0.013

0.0485

1950

Rgs

Rgd

70500

47800

Ω

TriQuint Semiconductor: www. triquint.com (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Info-mmw@tqs.com

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