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    LH28F800BVE-TV85 参数 Datasheet PDF下载

    LH28F800BVE-TV85图片预览
    型号： LH28F800BVE-TV85
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： X8 / X16闪存EEPROM [x8/x16 Flash EEPROM ]
    分类和应用： 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 48 页 / 549 K
    品牌： ETC [ ETC ]
     浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第22页浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第23页浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第24页浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第25页浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第27页浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第28页浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第29页浏览型号LH28F800BVE-TV85的Datasheet PDF文件第30页  
    LHF80V25  
    24  
    sharp  
    6.2.3 DC CHARACTERISTICS  
    DC Characteristics  
    V
    =5V±0.5V  
    Test  
    CC  
    Sym.  
    Parameter  
    Input Load Current  
    Notes  
    1
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    µA  
    Conditions  
    I
    I
    I
    V
    =V Max.  
    LI  
    CC CC  
    ±1  
    V =V or GND  
    IN  
    CC  
    Output Leakage Current  
    1
    V
    V
    =V Max.  
    LO  
    CC  
    CC  
    ±10  
    100  
    µA  
    µA  
    =V or GND  
    OUT  
    CC  
    V
    Standby Current  
    1,3,6,  
    10  
    CMOS Inputs  
    V =V Max.  
    CC  
    CE#=RP#=V ±0.2V  
    CCS  
    CC  
    30  
    CC  
    CC  
    1,3,6  
    TTL Inputs  
    0.4  
    2
    mA  
    µA  
    V
    =V Max.  
    CC CC  
    CE#=RP#=V  
    IH  
    I
    I
    V
    V
    Deep Power-Down Current  
    Read Current  
    1,10  
    RP#=GND±0.2V  
    (RY/BY#)=0mA  
    CCD  
    CC  
    10  
    50  
    I
    OUT  
    1,5,6  
    CMOS Inputs  
    V =V Max., CE#=GND  
    CC  
    f=8MHz, I  
    CCR  
    CC  
    mA  
    CC  
    =0mA  
    OUT  
    TTL Inputs  
    V =V Max., CE#=GND  
    CC  
    65  
    mA  
    CC  
    f=8MHz, I  
    =0mA  
    OUT  
    I
    I
    V
    V
    V
    Word/Byte Write Current  
    Block Erase Current  
    1,7  
    1,7  
    35  
    30  
    30  
    25  
    mA  
    mA  
    mA  
    mA  
    V
    V
    V
    V
    =4.5V-5.5V  
    CCW  
    CC  
    CC  
    CC  
    PP  
    PP  
    PP  
    PP  
    =11.4V-12.6V  
    =4.5V-5.5V  
    CCE  
    =11.4V-12.6V  
    I
    I
    Word/Byte Write or Block  
    1,2  
    1
    CCWS  
    CCES  
    1
    10  
    mA  
    CE#=V  
    IH  
    Erase Suspend Current  
    I
    V
    Standby or Read Current  
    ±2  
    10  
    ±15  
    200  
    5
    µA  
    µA  
    V
    V
    ≤V  
    PPS  
    PP  
    PP  
    CC  
    I
    I
    I
    >V  
    PPR  
    PPD  
    PPW  
    PP  
    CC  
    V
    V
    Deep Power-Down Current  
    Word/Byte Write Current  
    1
    0.1  
    µA  
    RP#=GND±0.2V  
    PP  
    PP  
    1,7  
    40  
    30  
    25  
    20  
    mA  
    mA  
    mA  
    mA  
    V
    V
    V
    V
    =4.5V-5.5V  
    PP  
    PP  
    PP  
    PP  
    =11.4V-12.6V  
    =4.5V-5.5V  
    I
    V
    Block Erase Current  
    1,7  
    1
    PPE  
    PP  
    =11.4V-12.6V  
    I
    I
    V
    Word/Byte Write or Block Erase  
    PPWS  
    PPES  
    PP  
    10  
    200  
    µA  
    V
    =V  
    PP  
    PPH1/2  
    Suspend Current  
    Rev. 1.1  

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