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    W25Q128BV 参数 Datasheet PDF下载

    W25Q128BV图片预览
    型号： W25Q128BV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 具有双路和四路SPI 3V 128M位串行闪存 [3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 74 页 / 756 K
    品牌： WINBOND [ WINBOND ]
     浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第59页浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第60页浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第61页浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第62页浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第64页浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第65页浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第66页浏览型号W25Q128BV的Datasheet PDF文件第67页  
    W25Q128BV  
    8.3 Power-up Timing and Write Inhibit Threshold  
    spec  
    Parameter  
    Symbol  
    Unit  
    MIN  
    10  
    1
    MAX  
    VCC (min) to /CS Low  
    tVSL(1)  
    tPUW(1)  
    VWI(1)  
    µs  
    ms  
    V
    Time Delay Before Write Instruction  
    Write Inhibit Threshold Voltage  
    10  
    1.0  
    2.0  
    Note:  
    1. These parameters are characterized only.  
    VCC  
    VCC (max)  
    Program, Erase and Write Instructions are ignored  
    /CS must track VCC  
    VCC (min)  
    Read Instructions  
    Allowed  
    Device is fully  
    Accessible  
    tVSL  
    Reset  
    State  
    VWI  
    tPUW  
    Time  
    Figure 38. Power-up Timing and Voltage Levels  
    Publication Release Date: April 01, 2011  
    Revision E  
    - 63 -  
     

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