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W25Q16DVSSIG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: W25Q16DVSSIG
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内容描述: 具有双路和四路SPI 3V 16M位串行闪存 [3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 81 页 / 1120 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W25Q16DV  
8.6 AC Electrical Characteristics  
SPEC  
UNIT  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
ALT  
MIN  
TYP  
MAX  
Clock frequency for all instructions,  
except Read Data (03h)  
2.7-3.0V / 3.0-3.6V & Industrial Temperature  
FR  
fC  
D.C.  
80/104  
50  
MHz  
Clock freq. Read Data instruction (03h)  
fR  
D.C.  
4
MHz  
ns  
Clock High, Low Time except Read Data (03h)  
tCLH,  
(1)  
tCLL  
Clock High, Low Time for Read Data (03h)  
instruction  
tCRLH,  
tCRLL  
ns  
8
(1)  
(2)  
Clock Rise Time peak to peak  
tCLCH  
0.1  
0.1  
3
V/ns  
V/ns  
ns  
(2)  
Clock Fall Time peak to peak  
tCHCL  
/CS Active Setup Time relative to CLK  
/CS Not Active Hold Time relative to CLK  
Data In Setup Time  
tSLCH  
tCHSL  
tDVCH  
tCHDX  
tCHSH  
tSHCH  
tSHSL1  
tSHSL2  
tCSS  
3
ns  
tDSU  
tDH  
2
ns  
Data In Hold Time  
3
ns  
/CS Active Hold Time relative to CLK  
/CS Not Active Setup Time relative to CLK  
/CS Deselect Time (for Array Read Æ Array Read)  
3
ns  
3
ns  
tCSH  
tCSH  
10  
ns  
/CS Deselect Time (for Erase/Program Æ Read SR)  
Volatile Status Register Write Time  
50  
50  
ns  
(2)  
Output Disable Time  
tSHQZ  
tDIS  
tV1  
7
ns  
ns  
Clock Low to Output Valid  
2.7-3.0V / 3.0-3.6V  
tCLQV1  
tCLQV2  
7 / 6  
Clock Low to Output Valid (for Read ID instructions)  
2.7-3.0 V / 3.0-3.6V  
tV2  
8.5 / 7.5  
ns  
Output Hold Time  
tCLQX  
tHLCH  
tHO  
0
3
ns  
ns  
/HOLD Active Setup Time relative to CLK  
Continued – next page  
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