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W25Q16DVSSIG 参数 Datasheet PDF下载

W25Q16DVSSIG图片预览
型号: W25Q16DVSSIG
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内容描述: 具有双路和四路SPI 3V 16M位串行闪存 [3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 81 页 / 1120 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W25Q16DV  
8.3 Power-Up Power-Down Timing and Requirements  
SPEC  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
MIN  
20  
5
MAX  
VCC (min) to /CS Low  
tVSL(1)  
tPUW(1)  
VWI(1)  
µs  
ms  
V
Time Delay Before Write Instruction  
Write Inhibit Threshold Voltage  
1.0  
2.0  
Note:  
1. These parameters are characterized only.  
VCC  
VCC (max)  
Program, Erase and Write Instructions are ignored  
/CS must track VCC  
VCC (min)  
Read Instructions  
Allowed  
Device is fully  
Accessible  
tVSL  
Reset  
State  
VWI  
tPUW  
Time  
Figure 39a. Power-up Timing and Voltage Levels  
/CS must track VCC  
during VCC Ramp Up/Down  
VCC  
/CS  
Time  
Figure 39b. Power-up, Power-Down Requirement  
Publication Release Date: October 29, 2012  
Revision D  
- 63 -  
 
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