欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

VG37648041AT 参数 Datasheet PDF下载

VG37648041AT图片预览
型号: VG37648041AT
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256M : X4,X8 , X16 CMOS同步动态RAM [256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 86 页 / 964 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第42页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第43页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第44页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第45页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第47页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第48页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第49页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第50页  
Preliminary  
VG37648041AT  
256M:x4, x8, x16  
VIS  
CMOS Synchronous Dynamic RAM  
T0  
T1  
T3  
T2  
T4  
T5  
T6  
T7  
T9  
T8  
CLK#  
CLK  
COMMAND  
WRITE  
WRITE  
WRITE  
WRITE  
WRITE  
Bank,  
Col x  
Bank,  
Col b  
Bank,  
Col a  
ADDRESS  
Bank,  
Col g  
Bank,  
Col n  
tDSS  
max  
DQS  
DQ  
Dl  
a’  
Dl  
n’  
Dl  
a
Dl  
b
Dl  
x’  
Dl  
x
Dl  
b’  
Dl  
n
DM  
DONT’ CARE  
UNDEFINED  
Dl b, etc.=Data In for coulmn b, etc.  
b,’etc.=odd or even complement of b, etc.(i.e. column address LSB inverted)  
Programmed burst Length=2,4 or 8 in cases shown  
Each Write command may be to any bank.  
Figure 20  
RANDOM WRITE CYCLES - MAX DSS  
Document : 1G5-0157  
Rev.1  
Page46  
 复制成功!