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VG37648041AT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG37648041AT
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内容描述: 256M : X4,X8 , X16 CMOS同步动态RAM [256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 86 页 / 964 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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Preliminary  
VG37648041AT  
256M:x4, x8, x16  
VIS  
CMOS Synchronous Dynamic RAM  
T0  
T1  
T10  
T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T9  
T11  
T8  
CLK#  
CLK  
COMMAND  
ADDRESS  
WRITE  
NOP  
NOP  
WRITE  
NOP  
NOP  
Bank,  
Col n  
Bank,  
Col b  
tDSS  
min  
DQS  
DQ  
Dl  
n
Dl  
b
DM  
DONT’ CARE  
UNDEFINED  
Dl b, etc. = Data In for column b, etc.  
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following Dl b  
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following Dl n  
A non-interrupted burst of 4 is shown  
Each Write command may be to any bank  
Figure 18  
WRITE TO WRITE - MIN DSS  
Document : 1G5-0157  
Rev.1  
Page44  
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