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    VG37648041AT 参数 Datasheet PDF下载

    VG37648041AT图片预览
    型号： VG37648041AT
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    内容描述： 256M ： X4，X8 ， X16 CMOS同步动态RAM [256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 86 页 / 964 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第36页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第37页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第38页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第39页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第41页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第42页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第43页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第44页  
    Preliminary  
    VG37648041AT  
    256M:x4, x8, x16  
    VIS  
    CMOS Synchronous Dynamic RAM  
    T0  
    T1  
    T2  
    T3  
    T4  
    T5  
    T7  
    T6  
    CLK#  
    CLK  
    COMMAND  
    ADDRESS  
    WRITE  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    Bank a,  
    Col b  
    t
    DSS  
    max  
    DQS  
    DQ  
    Dl  
    b
    DM  
    DONT’ CARE  
    UNDEFINED  
    Dl b=Data In for column b  
    3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following Dl b  
    A non-interrupted burst of 4 is shown  
    A10 is LOW with the WRITE command (AUTO PRECHARGE is disabled)  
    Figure 15  
    WRITE BURST - MAX DSS  
    Document : 1G5-0157  
    Rev.1  
    Page40  

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