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VG37648041AT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG37648041AT
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内容描述: 256M : X4,X8 , X16 CMOS同步动态RAM [256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 86 页 / 964 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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Preliminary  
VG37648041AT  
256M:x4, x8, x16  
VIS  
CMOS Synchronous Dynamic RAM  
CLK#  
CLK  
COMMAND  
ADDRESS  
READ  
NOP  
NOP  
PRE  
ACT  
NOP  
tRP  
Bank a,  
Row  
Bank  
(a or all)  
Bank a,  
Col n  
CL=1.5  
DQS  
DQ  
DO  
n
CLK#  
CLK  
COMMAND  
ADDRESS  
READ  
NOP  
NOP  
PRE  
ACT  
NOP  
tRP  
Bank  
(a or all)  
Bank a,  
Row  
Bank a,  
Col n  
CL=3  
DQS  
DQ  
DO  
n
DONT’ CARE  
UNDEFINED  
DO n=Data Out from column n  
Cases shown are either uninterrupted bursts of 4, or interrupted bursts of 8  
3 subsequent elements of Data Out appear in the programmed order following DO n  
Figure 13b  
READ TO PRECHARGE - OPTIONAL CAS LATENCIES  
Document : 1G5-0157  
Rev.1  
Page37  
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