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    VG37648041AT 参数 Datasheet PDF下载

    VG37648041AT图片预览
    型号： VG37648041AT
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    内容描述： 256M ： X4，X8 ， X16 CMOS同步动态RAM [256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 86 页 / 964 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第23页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第24页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第25页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第26页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第28页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第29页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第30页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第31页  
    Preliminary  
    VG37648041AT  
    256M:x4, x8, x16  
    VIS  
    CMOS Synchronous Dynamic RAM  
    CLK#  
    CLK  
    COMMAND  
    ADDRESS  
    READ  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    READ  
    Bank,  
    Col b  
    Bank,  
    Col n  
    CL=2  
    DQS  
    DQ  
    DO  
    b
    DO  
    n
    CLK#  
    CLK  
    COMMAND  
    ADDRESS  
    READ  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    READ  
    Bank,  
    Col n  
    Bank,  
    Col b  
    CL=2.5  
    DQS  
    DQ  
    DO  
    b
    DO  
    n
    DONT’ CARE  
    UNDEFINED  
    DO n(or b)=Data Out from column n (or column b)  
    Burst Length=4  
    3 Subsequent elements of Data Out appear in the programmed order following DO n(and following DO b)  
    Figure 9a  
    NON-CONSECUTIVE READ BURSTS-REQUIRED CAS LATENCIES  
    Document : 1G5-0157  
    Rev.1  
    Page27  

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