VG3617161ET-8 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG3617161ET-8
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1125 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VG3617161ET

1,048,576 x 16 - Bit

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

Burst Read and Single Write Operation

Burst Length=4, CAS Latency=2

T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22

CLK

CK2

High

CKE

RAS

CAS

A11(BS)

RAa

A10

CAa

RAa

CAd

CAe

CAb

CAc

A0~A9

LDQM

UDQM

Hi-Z

DQ0~DQ7

Hi-Z

DQ8~DQ15

Lower Byte

Read

Single Write

Command

Bank A

Read

Activate

Command

Bank A

Single Write

Command

Bank A

Single Write

Command

Bank A

Lower Byte

is masked

Command is masked

Bank A

Command

Bank A

Upper Byte

is masked

Document:1G5-0189

Rev.1

Page64

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