VG3617161ET-8 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG3617161ET-8
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1125 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VG3617161ET

1,048,576 x 16 - Bit

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

Random Column Write (Page Within same Bank) (2 of 2)

Burst Length=4, CAS Latency=3

T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22

CLK

CKE

CK3

RAS

CAS

A11(BS)

RBa

A10

RBd

A0~A9

CBb

CBa

CBc

CBd

RBd

RBa

DQM

Hi-Z

DBd2

DBd0 DBd1

DBa0

Write

DBc2 DBc3

DBa1 DBa2

DBb0 DBb1 DBc0

DBc1

DBa3

Write

Precharge

Command

Bank B

Write

Command

Bank B

Activate

Command

Bank B

Activate

Command

Bank B

Command

Bank B

Command

Bank B

Command

Bank B

Document:1G5-0189

Rev.1

Page44

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