VG3617161ET-8 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG3617161ET-8
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1125 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VG3617161ET

1,048,576 x 16 - Bit

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

Random Column Read (Page Within same Bank)(1 of 2)

Burst Length=4, CAS Latency=2

T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22

CLK

CKE

CK2

RAS

CAS

A11(BS)

RAa

RAda

RAd

A10

A0~A9

CAb

CAc

CAa

CAd

DQM

Hi-Z

QAa0 QAa1

QAa2 QAa3 QAb0

QAc0 QAc1 QAc2 QAc3

QAd2

QAd0 QAd1 QAd3

QAb1

Active

Read

Command Command

Bank A

Read

Precharge

Command

Bank A

Read

Command

Bank A

Activate

Command

Bank A

Read

Command

Bank A

Command

Bank A

Document:1G5-0189

Rev.1

Page41

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