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SIA911DJ 参数 Datasheet PDF下载

SIA911DJ图片预览
型号: SIA911DJ
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内容描述: 双P通道20 - V(D -S)的MOSFET [Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 122 K
品牌: VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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SiA911DJ
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C,除非另有说明
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项:
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间(秒)
10
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
100
1000
归瞬态热阻抗,结到环境
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
方波脉冲持续时间(秒)
10
-2
10
-1
归瞬态热阻抗,结至外壳
日前,Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件,如包/带图纸,零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?74329 。
www.vishay.com
6
文档编号: 74329
S- 62027 -REV 。 A, 16 - OCT- 06