SiA911DJ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.094在V
GS
= - 4.5 V
0.131在V
GS
= - 2.5 V
0.185在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 4.5
a
- 4.5
a
- 4.5
a
特点
Q
g
（典型值）
4.9 NC
• TrenchFET
®
功率MOSFET
•新的耐热增强型PowerPAK
®
SC70封装
- 小占位面积
- 低导通电阻
RoHS指令
柔顺
应用
的PowerPAK
SC-70-6
双
•负荷开关， PA的开关和电池开关，用于便携式
器件
S
1
S
2
1
S
1
2
G
1
D
1
D
1
6
5
2.05 mm
G
2
4
S
2
2.05 mm
D
2
D
2
3
DCX
零件编号代码
XXX
很多可追溯性
和日期代码
D
1
订货信息：
SiA911DJ -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
标识代码
G
1
G
2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
极限
- 20
±8
- 4.5
a
- 4.5
a
- 3.6
B，C
- 2.9
B，C
-8
- 4.5
a
- 1.6
B，C
6.5
5
1.9
B，C
1.2
B，C
- 55〜 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
B，F
t
≤
5秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
52
12.5
最大
65
16
单位
° C / W
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 t为5秒。
ð 。见焊接温度曲线（
h
TTP ： //www.vishay.com/ppg 73257 ） 。
采用PowerPAK SC70是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，并
不要求保证足够的底侧的焊料互连。
Ë 。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
文档编号： 74329
S- 62027 -REV 。 A， 16 - OCT- 06
www.vishay.com
1
VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
