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    SIA911DJ 参数 Datasheet PDF下载

    SIA911DJ图片预览
    型号： SIA911DJ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双P通道20 - V（D -S）的MOSFET [Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 122 K
    品牌： VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SIA911DJ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SIA911DJ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIA911DJ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIA911DJ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIA911DJ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIA911DJ的Datasheet PDF文件第7页  
    SiA911DJ
    Vishay Siliconix公司
    典型特征
    10
    25 ° C，除非另有说明
    2.0
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    V
    GS
    = 2.5直通5 V
    6
    2V
    4
    1.5 V
    2
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    8
    1.6
    1.2
    T
    C
    = 125 °C
    0.8
    T
    C
    = 25 °C
    0.4
    T
    C
    = - 55 °C
    0
    0.0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    0.0
    0.0
    0.3
    0.6
    0.9
    1.2
    1.5
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    输出特性
    0.3
    600
    传输特性
    500
    0.25
    r
    DS （O N）
    - 导通电阻（ Ω ）
    Ç - 电容（pF ）
    V
    GS
    = 1.8 V
    400
    0.2
    V
    GS
    = 2.5 V
    0.15
    C
    国际空间站
    300
    200
    C
    OSS
    C
    RSS
    0.1
    V
    GS
    = 4.5 V
    100
    0.05
    0
    2
    4
    6
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    8
    10
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    导通电阻与漏电流和栅极电压
    8
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    I
    D
    = 4.5 A
    1.4
    V
    DS
    = 10 V
    r
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    （归一化）
    6
    1.6
    I
    D
    = 2.8 A
    电容
    1.2
    4
    V
    DS
    = 16 V
    1.0
    V
    GS
    = 4.5 V, 2.5 V, 1.8 V
    0.8
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.6
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    T
    J
    =结温（ ° C）
    栅极电荷
    文档编号： 74329
    S- 62027 -REV 。 A， 16 - OCT- 06
    导通电阻与结温
    www.vishay.com
    3

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