SIA911DJ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SIA911DJ
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	双P通道20 - V（D -S）的MOSFET [Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 122 K
品牌：	VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]

SiA911DJ

Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ° C，除非另有说明

0.3

= 2.8 A

0.25

= 150 °C

= 25 °C

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

- 源电流（ A）

0.2

= 125 °C

0.15

0.1

= 25 °C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

0.05

- 栅极 - 源极电压（ V）

- 源极到漏极电压（V ）

索里漏二极管正向电压

0.9

导通电阻与栅极至源极电压

0.8

GS （ TH）

(V)

功率（W）的

0.7

= 250 µA

0.6

0.5

0.4

- 50

- 25

100

125

150

0.001

0.01

0.1

100

1000

- 温度（ _C ）

脉冲（秒）

阈值电压

*仅限为r

DS （ ON）

D（上）

有限

单脉冲功率，结到环境

IDM限制

100 µs

- 漏电流（ A）

1毫秒

10毫秒

100毫秒

10 s

= 25 °C

单脉冲

BVDSS有限公司

100

0.1

0.01

0.1

- 漏极至源极电压（ V）

>最小V

在r

DS （ ON）

为特定网络版

安全工作区，结至外壳

www.vishay.com

文档编号： 74329

S- 62027 -REV 。 A， 16 - OCT- 06

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案