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SIA911DJ 参数 Datasheet PDF下载

SIA911DJ图片预览
型号: SIA911DJ
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内容描述: 双P通道20 - V(D -S)的MOSFET [Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 122 K
品牌: VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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SiA911DJ
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C,除非另有说明
8
8
I
D
- 漏极电流( A)
包装有限公司
4
功耗( W)
6
6
4
2
2
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度( ℃)
T
C
- 外壳温度( ℃)
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在解决上耗散更多的有用
而不能使极限情况下,额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级低于封装限制。
文档编号: 74329
S- 62027 -REV 。 A, 16 - OCT- 06
www.vishay.com
5