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    2N60 参数 Datasheet PDF下载

    2N60图片预览
    型号： 2N60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2安培， 600伏特N沟道MOSFET [2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 143 K
    品牌： UTC [ Unisonic Technologies ]
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    2N60  
    Power MOSFET  
    ꢀ
    TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS  
    +
    D.U.T.  
    VDS  
    -
    +
    -
    L
    RG  
    Driver  
    VDD  
    * dv/dt controlled by RG  
    * ISD controlled by pulse period  
    * D.U.T.-Device Under Test  
    Same Type  
    as D.U.T.  
    VGS  
    Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit  
    P. W.  
    VGS  
    (Driver)  
    Period  
    D=  
    P.W.  
    Period  
    10V  
    VGS=  
    IFM, Body Diode Forward Current  
    ISD  
    (D.U.T.)  
    di/dt  
    IRM  
    Body Diode Reverse Current  
    Body Diode Recovery dv/dt  
    VDS  
    (D.U.T.)  
    VDD  
    Body Diode  
    Forward Voltage Drop  
    Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms  
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
    4 of 8  
    QW-R502-053,E  
    www.unisonic.com.tw  

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