TMS320F28027, TMS320F28027-Q1, TMS320F28027F, TMS320F28027F-Q1, TMS320F28026
TMS320F28026-Q1, TMS320F28026F, TMS320F28026F-Q1, TMS320F28023
TMS320F28023-Q1, TMS320F28022, TMS320F28021, TMS320F28020, TMS320F280200
ZHCSA13P –NOVEMBER 2008 –REVISED FEBRUARY 2021
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参数
测试条件
VREG 启用
最小值 典型值 最大值 单位
100 mA
(1)
IDDIOP
擦除/编程周期内的VDDIO 流耗
(1) 室温下包括函数调用开销在内的典型参数，是在所有外设关闭时的参数。在整个闪存编程过程中保持稳定的电源很重要。可想而知，闪
存编程期间的器件电流消耗可能高于正常工作条件下。如数据表“建议工作条件”中所述，使用的电源应始终确保VMIN 位于电源轨上。
擦除/编程过程中发生任何欠压保护或电源中断，都可能会损坏密码位置并永久锁定器件。不建议通过USB 端口为目标板供电（在闪存
编程期间），因为该端口可能无法响应编程过程中设置的电源需求。
8.14.7 闪存编程/擦除时间
最大值
(2)
参数
测试条件
最小值 典型值
单位
编程时间(1)
擦除时间(3)
8K 扇区
4K 扇区
16 位字
8K 扇区
4K 扇区
250
125
50
2
2000
2000
ms
ms
μs
s
12
12
2
s
(1) 编程时间是最大器件频率下的值。此表中指示的编程时间仅适用于器件RAM 中的所有必需代码/数据都可用并准备好进行编程的情况。
编程时间包括闪存状态机的开销，但不包括将以下项传输到RAM 的时间：
• 使用闪存API 对闪存进行编程的代码
• 闪存API 本身
• 要进行编程的闪存数据
(2) 所提到的最大闪存参数对应于前100 个编程和擦除周期。
(3) 当器件从TI 出货时，片上闪存存储器处于一个被擦除状态。这样，当首次编辑器件时，在编程前无需擦除闪存存储器。然而，对于所有
随后的编程操作，需要执行擦除操作。
8.14.8 闪存/ OTP 访问时序
参数
最小值
40
最大值 单位
ta(fp)
ns
ns
页式闪存访问时间
随机闪存访问时间
OTP 访问时间
ta(fr)
40
ta(OTP)
60
ns
8.14.9 Flash Data Retention Duration
PARAMETER
TEST CONDITIONS
TJ = 55°C
MIN
15
MAX UNIT
tretention
Data retention duration
years
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34
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TMS320F28026 TMS320F28026-Q1 TMS320F28026F TMS320F28026F-Q1 TMS320F28023 TMS320F28023-
Q1 TMS320F28022 TMS320F28021 TMS320F28020 TMS320F280200
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