TMS320F28027, TMS320F28027-Q1, TMS320F28027F, TMS320F28027F-Q1, TMS320F28026
TMS320F28026-Q1, TMS320F28026F, TMS320F28026F-Q1, TMS320F28023
TMS320F28023-Q1, TMS320F28022, TMS320F28021, TMS320F28020, TMS320F280200
ZHCSA13P –NOVEMBER 2008 –REVISED FEBRUARY 2021
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8.14 闪存定时
8.14.1 T 温度材料的闪存/OTP 耐久性
温度
擦除/编程(1)
最小值
典型值
最大值
单位
Nf
20000
50000
闪存对于阵列的耐受度（写入/擦除周期）
0°C 至105°C（环境温度）
0°C 至30°C（环境温度）
周期
写入
NOTP
1
OTP 对于阵列的耐受度（写入周期）
(1) 所示温度范围之外的写入/擦除操作并未说明，有可能影响耐受数。
8.14.2 S 温度材料的闪存/OTP 耐久性
温度
擦除/编程(1)
最小值
典型值
最大值
单位
Nf
20000
50000
闪存对于阵列的耐受度（写入/擦除周期）
OTP 对于阵列的耐受度（写入周期）
0°C 至125°C（环境温度）
0°C 至30°C（环境温度）
周期
写入
NOTP
1
(1) 所示温度范围之外的写入/擦除操作并未说明，有可能影响耐受数。
8.14.3 Q 温度材料的闪存/OTP 耐久性
温度
擦除/编程(1)
最小值
典型值
最大值
单位
周期
Nf
闪存对于阵列的耐受度（写入/擦除周期）
OTP 对于阵列的耐受度（写入周期）
-40°C 至125°C（环境温
度）
20000
50000
NOTP
-40°C 至30°C（环境温
度）
写入
1
(1) 所示温度范围之外的写入/擦除操作并未说明，有可能影响耐受数。
8.14.4 60MHz SYSCLKOUT 下的闪存参数
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
(1)
IDDP
80
60
mA
擦除/编程周期内的VDD 流耗
擦除/编程周期内的VDDIO 流耗
擦除/编程周期内的VDDIO 流耗
VREG 禁用
(1)
(1)
IDDIOP
IDDIOP
mA
mA
120
VREG 启用
(1) 室温下包括函数调用开销在内的典型参数，是在所有外设关闭时的参数。在整个闪存编程过程中保持稳定的电源很重要。可想而知，闪
存编程期间的器件电流消耗可能高于正常工作条件下。如数据表“建议工作条件”中所述，使用的电源应始终确保VMIN 位于电源轨上。
擦除/编程过程中发生任何欠压保护或电源中断，都可能会损坏密码位置并永久锁定器件。不建议通过USB 端口为目标板供电（在闪存
编程期间），因为该端口可能无法响应编程过程中设置的电源需求。
8.14.5 50MHz SYSCLKOUT 上的闪存参数：
参数
测试条件
VREG 禁用
VREG 启用
最小值 典型值 最大值 单位
(1)
IDDP
IDDIOP
IDDIOP
70
擦除/编程周期内的VDD 流耗
擦除/编程周期内的VDDIO 流耗
擦除/编程周期内的VDDIO 流耗
mA
mA
(1)
(1)
60
110
(1) 室温下包括函数调用开销在内的典型参数，是在所有外设关闭时的参数。在整个闪存编程过程中保持稳定的电源很重要。可想而知，闪
存编程期间的器件电流消耗可能高于正常工作条件下。如数据表“建议工作条件”中所述，使用的电源应始终确保VMIN 位于电源轨上。
擦除/编程过程中发生任何欠压保护或电源中断，都可能会损坏密码位置并永久锁定器件。不建议通过USB 端口为目标板供电（在闪存
编程期间），因为该端口可能无法响应编程过程中设置的电源需求。
8.14.6 40MHz SYSCLKOUT 上的闪存参数：
参数
测试条件
VREG 禁用
最小值 典型值 最大值 单位
(1)
IDDP
IDDIOP
60
擦除/编程周期内的VDD 流耗
擦除/编程周期内的VDDIO 流耗
mA
(1)
60
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Q1 TMS320F28022 TMS320F28021 TMS320F28020 TMS320F280200
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