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    STM32F103C8U6XXX 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103C8U6XXX图片预览
    型号： STM32F103C8U6XXX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第83页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第86页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第88页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第89页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第90页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第91页  
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    表58 。
    日期
    修订历史
    文档修订历史（续）
    调整
    变化
    STM32F103CBT6 ， STM32F103T6和STM32F103T8根部
    加号（见
    表2： STM32F103xx中等密度的设备
    功能和外围计数）
    VFQFPN36包补充（见
    第6节：包装特性） 。
    所有的包都ECOPACK®标准。包装机械数据
    英寸值从毫米计算，并四舍五入到小数点后4位数字
    （见
    第6节：包装特性） 。
    表5 ：中等密度STM32F103xx引脚定义
    更新
    澄清。
    表26 ：低功耗模式唤醒时序
    更新。
    T
    A
    分纠正了
    表12 ：嵌入内部参考电压。
    注2
    下面添加
    表22 ： HSE 4-16 MHz振荡器的特性。
    V
    静电放电（CDM）的
    增加值
    表32 ： ESD绝对最大额定值。
    注3
    新增和V
    OH
    参数说明修改
    表35 ：
    输出电压特性。
    注1
    根据修改
    表36 ： I / O的交流特性。
    式（1）
    和
    表46 ： RAIN最大的fADC的速率= 14 MHz的
    加入
    第5.3.17 ： 12位ADC特性。
    V
    艾因
    , t
    S
    最大值，T
    CONV
    , V
    REF +
    分钟和T
    LAT
    最大修改，修改后的注意事项
    和T
    LATR
    在加
    表45 ： ADC特性。
    图31 ：ADC精度特性
    更新。
    注1
    改进
    下面
    图32：使用ADC的典型连接图。
    56页的静电放电（ESD ）
    修改。
    改性在TIM4通道数
    图1： STM32F103xx
    性能线路框图。
    最大电流消耗
    表13 ，表14中
    和
    表15
    更新。 V
    HYS
    修改
    表34 ： I / O的静态特性。
    表48 ： ADC精度
    更新。吨
    VDD
    修改
    表10 ：工作
    在上电/掉电条件。
    V
    FESD
    增加价值
    表30 ：
    EMS的特点。
    修正值，记2修改并注3：在去除
    表26 ：
    低功耗模式唤醒时序。
    表16 ：在停止和典型和最大电流消耗
    待机模式：
    典型值增加了V
    DD
    /V
    BAT
    = 2.4 V,
    注2
    修改
    注2
    补充说。
    表21 ：典型电流消耗在待机模式
    补充说。
    片上
    外设电流消耗47页
    补充说。
    加
    恒指
    值的更新
    表24 ： HSI振荡器的特性。
    V
    PROG
    加入
    表28 ：闪存的特点。
    上面的选项字节地址修改
    图9 ：内存映射。
    典型˚F
    LSI
    增加价值
    表25 ： LSI振荡器特性
    和
    内部RC修正值从32到40千赫的整个文档。
    T
    S_temp
    加入
    表49 ：TS特点。
    N
    结束
    修改
    表29 ：闪存耐用性和数据保留。
    T
    S_vrefint
    加入
    表12 ：嵌入内部参考电压。
    处理中指定未使用的引脚
    通用输入/输出
    特点第57页。
    所有的I / O是CMOS和TTL兼容。
    图33 ：电源和参考去耦（ VREF +不
    连接到VDDA ）
    修改。
    t
    抖动
    和f
    VCO
    除去从
    表27 ： PLL特性。
    附录A ：第81页的重要说明
    补充说。
    额外
    图14 ，图15 ，图17中
    和
    图19 。
    18-Oct-2007
    3
    文档ID 13587牧师11
    87/92

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