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    STM32F103C8U6XXX 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103C8U6XXX图片预览
    型号： STM32F103C8U6XXX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第86页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第87页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第89页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第90页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第91页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第92页  
    修订历史
    表58 。
    日期
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    文档修订历史（续）
    调整
    变化
    文档状态，从初步数据提升到数据表。
    该STM32F103xx是USB的认证。小文的变化。
    第13页上的电源方案
    修改。数
    对于STM32F103Tx和数量更正通信外设
    通用输入输出校正LQFP封装
    表2： STM32F103xx中等
    密度设备的功能和外围计数。
    修改后的PC14主要功能和默认的复用功能和
    PC15的，
    注6
    添加和重新映射列添加
    表5：介质 -
    密度STM32F103xx引脚定义。
    V
    DD
    –V
    SS
    收视率和
    注1
    修改
    表6 ：电压
    特点，注1
    修改
    表7 ：电流特性。
    注1
    和
    注2
    在加
    表11 ：内置复位和电源
    控制模块的特性。
    I
    DD
    在72 MHz的外设价值启用修改
    表14：
    最大消耗电流在运行模式下，数据的代码
    处理从RAM运行。
    I
    DD
    在72 MHz的外设价值启用修改
    表15：
    最大消耗电流在休眠模式下，代码运行
    Flash或RAM第41页。
    I
    DD_VBAT
    在2.4V时的典型值进行修改，我
    DD_VBAT
    最大值
    在加
    表16 ：在停止的典型和最大电流消耗
    和待机模式。
    注意在添加
    表17 45页
    和
    表18
    在第46页。
    ADC1和ADC2消费和修改笔记
    表19 ：外设电流消耗。
    t
    SU（ HSE）
    和T
    SU （ LSE ）
    修改条件
    表22
    和
    表23 ，
    分别。
    最大值从删除
    表26 ：低功耗模式唤醒
    计时。
    t
    RET
    修改条件
    表29 ：闪存耐力
    和数据保持。图12 ：电源方案
    纠正。
    图18 ：典型电流消耗在停止模式调节器
    低功耗模式与温度VDD = 3.3 V和3.6 V
    补充说。
    注意下面的删除
    图27 ： SPI时序图 - 从模式和
    CPHA = 0 。
    注意补充以下
    图28 ： SPI时序图 - 奴隶
    模式和CPHA = 1（1） 。
    对未使用引脚的详细信息删除
    通用输入/输出
    特点第57页。
    表41 ： SPI特点
    更新。
    表42 ： USB启动时间
    补充说。 V
    艾因
    , t
    LAT和
    t
    LATR
    修改，注意补充我
    LKG
    在删除
    表45 ： ADC特性。
    修改后的测试条件和补充说明
    in
    表48 ： ADC精度。
    注意补充以下
    表46
    和
    表49 。
    英寸值修正
    表52 ： LQPF100 ， 14× 14毫米100引脚的低
    外形四方扁平封装机械数据表53 ： LQFP64 ， 10 ×10
    毫米， 64引脚小外形四方扁平封装机械数据
    和
    表55 ： LQFP48 ， 7 ×7毫米， 48引脚小外形四方扁平封装
    机械数据。
    JA
    增加价值为VFQFPN36包
    表56 ：包装热
    特色」
    订购代码替换
    第7节：订购信息计划。
    修改MCU的运行条件
    典型电流消耗
    在第44页。
    Avg_Slope和V
    25
    修改
    表49 ： TS
    的特点。第62页上的I2C接口特性
    修改。
    阻抗大小指定
    A.4 ：上ADC输入0电压毛刺
    第81页。
    22-Nov-2007
    4
    88/92
    文档ID 13587牧师11

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