STM32F103x8 , STM32F103xB
电气特性
5.3.12
I / O端口特性
通用输入/输出特性
除非另有说明,所述参数在给定的
从测试得到的
总结在的条件下进行
所有的I / O是CMOS和TTL
兼容的。
表34 。
符号
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
I / O静态特性
参数
输入低电平电压
标准IO输入高电平
电压
IO FT
(1)
输入高电平电压
输入低电平电压
CMOS端口
输入高电平电压
标准IO施密特触发器
电压迟滞
(2)
0.65 V
DD
200
5% V
DD(3)
V
SS
V
IN
V
DD
标准的I / O
V
IN
= 5 V
I / O FT
拉相当于弱
电阻器
(5)
下拉等效弱
电阻器
I / O引脚的电容
V
IN
�½
V
SS
V
IN
�½
V
DD
30
30
40
40
5
1
µA
3
50
50
k
k
pF
TTL接口
条件
民
–0.5
2
2
–0.5
典型值
最大
0.8
V
V
DD
+0.5
5.5V
0.35 V
DD
V
DD
+0.5
mV
mV
V
单位
V
HYS
IO FT施密特触发器电压
迟滞
(2)
I
LKG
输入漏电流
(4)
R
PU
R
PD
C
IO
1, FT =五伏宽容。
施密特触发器的开关电平之间2.滞后电压。基于特性,而不是在测试
生产。
3.用最少的100毫伏。
4.泄漏可能比最高水平。如果负电流注入上相邻的销。
5.上拉和下拉电阻器被设计成具有真正的电阻串联的可切换
PMOS / NMOS 。这种MOS / NMOS贡献
串联电阻是最小
( 〜 10 %的顺序)
.
所有的I / O是CMOS和TTL兼容(无需软件配置) ,其
特点考虑的最严格的CMOS技术或TTL参数:
●
对于V
IH
:
–
–
如果V
DD
在[ 2.00 V - 3.08 V]范围: CMOS特性,但包括TTL
如果V
DD
在[ 3.08 V - 3.60 V]范围: TTL特性,但包括CMOS
如果V
DD
在[ 2.00 V - 2.28 V]范围: TTL特性,但包括CMOS
如果V
DD
在2.28 V - 3.60 V]范围: CMOS特性,但包括TTL
●
对于V
IL
:
–
–
文档ID 13587牧师11
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