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    STM32F103C8U6XXX 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103C8U6XXX图片预览
    型号： STM32F103C8U6XXX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第86页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第87页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第88页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第90页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第91页浏览型号STM32F103C8U6XXX的Datasheet PDF文件第92页  
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    表58 。
    日期
    修订历史
    文档修订历史（续）
    调整
    变化
    图2 ：第20页上的时钟树
    补充说。
    最大的T
    J
    在给定的值
    表8 ：在热特性
    第35页。
    添加CRC功能（见
    CRC（循环冗余校验）计算
    单元9页
    和
    图9 ： 31页的内存映射
    对地址）。
    I
    DD
    修改
    表16：在典型和最大电流消耗
    停止和待机模式。
    加
    恒指
    修改
    表24 ：第52页上的HSI振荡器的特性，
    注2中删除。
    P
    D
    , T
    A
    和T
    J
    加，T
    PROG
    改性和t值
    PROG
    说明澄清
    in
    表28 ：第53页上的闪存特性。
    t
    RET
    修改
    表29 ：闪存耐用性和数据保留。
    V
    NF （ NRST ）
    单位纠正
    表37 ：在NRST引脚特性
    第60页。
    表41 ：第64页上的SPI特点
    修改。
    I
    VREF
    加入
    表45 ：第68页上的ADC性能。
    表47 ： ADC精度 - 有限的试验条件
    补充说。
    表48 ： ADC
    准确性
    修改。
    更新LQFP100封装规格（请参阅
    第6节：包装
    第73页上的特性） 。
    推荐LQFP100 ， LQFP 64 ， LQFP48和VFQFPN36
    加入脚印（见
    图40 ，图42 ，图46中
    和
    图36） 。
    第6.2节：第82页上的热特性
    修改
    第6.2.1节
    和
    第6.2.2节
    补充说。
    附录A ：第81页的重要说明
    删除。
    小文的变化。
    图9 ：内存映射
    澄清。
    In
    表29 ：闪存耐用性和数据保留：
    – N
    结束
    测试在整个温度范围内
    - 在t指定的循环条件
    RET
    – t
    RET
    分修改在T
    A
    = 55 °C
    V
    25
    ， Avg_Slope和T
    L
    修改
    表49 ：TS特点。
    CRC功能去掉。
    CRC功能重新添加。小文的变化。
    第1节：前言
    修改。
    第2.2节：在整个家族完全兼容
    补充说。
    I
    DD
    在T
    A
    最大= 105 ℃，加入
    表16 ：典型和最大
    消耗电流在停机和待机42页上的模式。
    I
    DD_VBAT
    除去从
    表21 ：典型电流消耗
    待机模式下47页。
    值添加到
    表40 ： SCL频率（ fPCLK1 = 36 MHz时， VDD =
    3.3 V ），第63页。
    图27 ： SPI时序图 - 第65页上的从模式和CPHA = 0
    修改。
    式（1）
    纠正。
    t
    RET
    在T
    A
    = 105℃修改
    表29 ：闪存耐力和
    第54页上的数据保留。
    V
    USB
    加入
    表43 ： USB DC 67页的电气特性。
    图47 ： LQFP100 PD最大与TA 84页
    修改。
    AXX选项添加到
    表57 ：订购信息计划上
    第85页。
    14-Mar-2008
    5
    21-Mar-2008
    6
    22-May-2008
    7
    文档ID 13587牧师11
    89/92

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