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    MBM29DL163BE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL163BE-70TN图片预览
    型号： MBM29DL163BE-70TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存的CMOS 16M （ 2M ×8 / 1M ×16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 76 页 / 1048 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第62页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第63页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第64页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第65页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第67页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第68页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第69页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第70页  
    MBM29DL16XTE/BE70/90  
    (3) Data Polling Algorithm  
    Start  
    VA = Address for programming  
    = Any of the sector addresses within  
    the sector being erased during  
    sector erase or multiple sector  
    erases operation.  
    Read Byte  
    (DQ7 to DQ0)  
    Addr. = VA  
    Yes  
    = Any of the sector addresses within  
    the sector not being protected  
    during chip erase operation.  
    DQ7 = Data?  
    No  
    No  
    DQ5 = 1?  
    Yes  
    Read Byte  
    (DQ7 to DQ0)  
    Addr. = VA  
    Yes  
    DQ7 = Data?  
    *
    No  
    Fail  
    Pass  
    * : DQ7 is rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may change simultaneously with DQ5.  
    66  

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