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    MBM29DL163BE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL163BE-70TN图片预览
    型号： MBM29DL163BE-70TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存的CMOS 16M （ 2M ×8 / 1M ×16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 76 页 / 1048 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第60页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第61页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第62页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第63页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第65页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第66页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第67页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第68页  
    MBM29DL16XTE/BE70/90  
    ■ FLOW CHART  
    (1) Embedded ProgramTM Algorithm  
    EMBEDDED ALGORITHMS  
    Start  
    Write Program  
    Command Sequence  
    (See below)  
    Data Polling  
    Embedded  
    Program  
    Algorithm  
    in program  
    No  
    Verify Data  
    ?
    Yes  
    No  
    Last Address  
    ?
    Increment Address  
    Yes  
    Programming Completed  
    Program Command Sequence (Address/Command):  
    555h/AAh  
    2AAh/55h  
    555h/A0h  
    Program Address/Program Data  
    Notes : • The sequence is applied for × 16 mode.  
    • The addresses differ from × 8 mode.  
    64  

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