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    MBM29DL161TE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL161TE-70TN图片预览
    型号： MBM29DL161TE-70TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存的CMOS 16M （ 2M ×8 / 1M ×16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 76 页 / 1048 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第40页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第41页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第42页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第43页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第45页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第46页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第47页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第48页  
    MBM29DL16XTE/BE70/90  
    ■ MAXIMUM OVERSHOOT/MAXIMUM UNDERSHOOT  
    20 ns  
    20 ns  
    +0.6 V  
    –0.5 V  
    –2.0 V  
    20 ns  
    Maximum Undershoot Waveform  
    20 ns  
    V CC +2.0 V  
    V CC +0.5 V  
    +2.0 V  
    20 ns  
    20 ns  
    Maximum Overshoot Waveform 1  
    20 ns  
    +14.0 V  
    +13.0 V  
    V CC +0.5 V  
    20 ns  
    20 ns  
    Note: This waveform is applied for A9, OE, and RESET.  
    Maximum Overshoot Waveform 2  
    44  

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