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MBM29DL161TE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL161TE-70TN图片预览
型号: MBM29DL161TE-70TN
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 76 页 / 1048 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29DL16XTE/BE70/90  
2. AC Characteristics  
• Read Only Operations Characteristics  
Symbol  
JEDEC Standard  
70  
90  
Condi-  
tions  
Parameter  
Unit  
Min  
Max  
Min  
Max  
Read Cycle Time  
tAVAV  
tAVQV  
tRC  
70  
90  
ns  
ns  
CE = VIL  
OE = VIL  
Address to Output Delay  
tACC  
70  
90  
Chip Enable to Output Delay  
Output Enable to Output Delay  
Chip Enable to Output High-Z  
Output Enable to Output High-Z  
tELQV  
tGLQV  
tEHQZ  
tGHQZ  
tCE  
tOE  
tDF  
tDF  
OE = VIL  
70  
30  
25  
25  
90  
35  
30  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
Output Hold Time From Addresses,  
CE or OE, Whichever Occurs First  
tAXQX  
tOH  
0
0
ns  
µs  
ns  
RESET Pin Low to Read Mode  
tREADY  
20  
5
20  
5
tELFL  
tELFH  
CE to BYTE Switching Low or High  
Note: Test Conditions:  
Output Load: 1 TTL gate and 30 pF (MBM29DL16XTE/BE70)  
1 TTL gate and 100 pF (MBM29DL16XTE/BE90)  
Input rise and fall times: 5 ns  
Input pulse levels: 0.0 V or 3.0 V  
Timing measurement reference level  
Input: 1.5 V  
Output:1.5 V  
3.3 V  
Diode = 1N3064  
or Equivalent  
2.7 kΩ  
Device  
Under  
Test  
6.2 kΩ  
CL  
Diode = 1N3064  
or Equivalent  
Note : CL = 30 pF including jig capacitance (MBM29DL16XTE/BE70)  
CL = 100 pF including jig capacitance (MBM29DL16XTE/BE90)  
Test Conditions  
47  
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