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HYB5118160BSJ-50 参数 Datasheet PDF下载

HYB5118160BSJ-50图片预览
型号: HYB5118160BSJ-50
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内容描述: 1M ×16位动态RAM 1K刷新 [1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 193 K
品牌: SIEMENS [ Siemens Semiconductor Group ]
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HYB 5118160BSJ-50/-60
HYB 3118160BSJ-50/-60
1M
×
16 DRAM
I/O1 I/O2 . . . I/O16
. . .
Data In
Buffer
WE
UCAS
LCAS
&
16
Data Out
Buffer
16
OE
No.2 Clock
Generator
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
10
Column
Address
Buffers (10)
10
Column
Decoder
Refresh
Controller
Sense Amplifier
I/O Gating
1024
x 16
16
Refresh
Counter (10)
10
Row
Address
Buffers (10)
10
Row
Decoder
.
.
.
1024
.
.
.
Memory Array
1024 x 1024 x 16
.
.
.
.
.
.
RAS
No.1 Clock
Generator
Voltage Down
Generator
V
CC
V
CC
(internal)
SPB02826
Block Diagram for HYB 5118160BSJ
Semiconductor Group
4
1998-10-01