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    RJK0331DPB-00-J0 参数 Datasheet PDF下载

    RJK0331DPB-00-J0图片预览
    型号： RJK0331DPB-00-J0
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 113 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
    •  
    • RJK0331DPB-00-J0

    • 八零友创集团

         该会员已使用本站13年以上

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    RJK0331DPB
    Silicon N Channel Power MOS FET
    Power Switching
    REJ03G1640-0400
    Rev.4.00
    Apr 10, 2008
    Features
    High speed switching
    Capable of 4.5 V gate drive
    Low drive current
    High density mounting
    Low on-resistance
    R
    DS(on)
    = 2.6 m
    Ω
    typ. (at V
    GS
    = 10 V)
    •
    Pb-free
    •
    •
    •
    •
    •
    Outline
    RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A
    (Package name: LFPAK)
    5
    D
    5
    4
    G
    3
    12
    4
    1, 2, 3
    4
    5
    Source
    Gate
    Drain
    S S S
    1 2 3
    Absolute Maximum Ratings
    (Ta = 25°C)
    Item
    Drain to source voltage
    Gate to source voltage
    Drain current
    Drain peak current
    Body-drain diode reverse drain current
    Avalanche current
    Avalanche energy
    Channel dissipation
    Channel to Case Thermal Resistance
    Channel temperature
    Storage temperature
    Notes: 1. PW
    ≤
    10
    µs,
    duty cycle
    ≤
    1%
    2. Value at Tch = 25°C, Rg
    ≥
    50
    Ω
    3. Tc = 25°C
    Symbol
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D(pulse)Note1
    I
    DR
    I
    AP
    Note 2
    Ratings
    30
    ±20
    40
    160
    40
    20
    40
    50
    2.5
    150
    –55 to +150
    Unit
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    mJ
    W
    °C/W
    °C
    °C
    E
    AR Note 2
    Pch
    θch-C
    Tch
    Tstg
    Note3
    REJ03G1640-0400 Rev.4.00 Apr 10, 2008
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